芯片IC可靠性測試、靜電測試、失效分析

       廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）始建于1964年，是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計量站，經(jīng)過50余年的發(fā)展，現(xiàn)已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計量檢測機(jī)構(gòu)，專注于為客戶提供計量、檢測、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù)，在計量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗(yàn)、電磁兼容檢測等多個領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。廣電計量的資質(zhì)能力處于行業(yè)領(lǐng)先水平，其中CNAS認(rèn)可3408項(xiàng)，CMA認(rèn)可1990項(xiàng)，CATL認(rèn)可覆蓋55個類別；在支撐各區(qū)域產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展過程中，廣電計量還獲眾多榮譽(yù)稱號。

芯片可靠性驗(yàn)證 ( RA)：

芯片級預(yù)處理(PC) & MSL試驗(yàn) 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；

高溫存儲試驗(yàn)(HTSL), JESD22-A103 ；

溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC), JESD22-A104 ；

溫濕度試驗(yàn)(TH / THB), JESD22-A101 ；

高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTSL / HAST), JESD22-A110；

高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL), JESD22-A108；

芯片靜電測試 ( ESD)：

人體放電模式測試(HBM), JS001 ；

元器件充放電模式測試(CDM), JS002 ；

閂鎖測試(LU), JESD78 ；

TLP；Surge / EOS / EFT；

芯片IC失效分析 ( FA)：

光學(xué)檢查(VI/OM) ；

掃描電鏡檢查(FIB/SEM)

微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH ；

Micro-probe;

聚焦離子束微觀分析(FIB)； 

彈坑試驗(yàn)(cratering) ；

芯片開封(decap) ；

芯片去層(delayer)；

晶格缺陷試驗(yàn)(化學(xué)法)；

PN結(jié)染色 / 碼染色試驗(yàn)；

推拉力測試(WBP/WBS)；

紅墨水試驗(yàn)：

PCBA切片分析(X-section)；

芯片材料分析：

高分辨TEM (形貌、膜厚測量、電子衍射、STEM、HAADF)；

SEM (形貌觀察、截面觀察、膜厚測量、EBSD)；

Raman (Raman光譜)；

AFM (微觀表面形貌分析、臺階測量)；

芯片分析服務(wù)：

ESD / EOS實(shí)驗(yàn)設(shè)計；

集成電路競品分析；

AEC-Q100 / AEC-Q104開展與技術(shù)服務(wù)；

未知污染物分析 (污染物分析方案制定與實(shí)施，幫助客戶全面了解污染物的理化特性，包括：化學(xué)成分組成分析、成分含量分析、分子結(jié)構(gòu)分析、晶體結(jié)構(gòu)分析等物理與化學(xué)特性分析材料理化特性全方位分析(有機(jī)高分子材料、小分子材料、無機(jī)非金屬材料的成分分析、分子結(jié)構(gòu)分析等)；

鍍層膜層全方位分析 (鍍層膜層分析方案的制定與實(shí)施，包括厚度分析、元素組成分析、膜層剖面元素分析)；

GRGT團(tuán)隊技術(shù)能力：

•集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控

•集成電路競品分析、工藝分析

•芯片級失效分析方案turnkey

•芯片級靜電防護(hù)測試方案制定與平臺實(shí)驗(yàn)設(shè)計

•靜電防護(hù)失效整改技術(shù)建議

•集成電路可靠性驗(yàn)證

•材料分析技術(shù)支持與方案制定

半導(dǎo)體材料分析手法

芯片測試地點(diǎn)：廣電計量-廣州總部試驗(yàn)室、廣電計量-上海浦東試驗(yàn)室。

芯片測試咨詢及技術(shù)交流：

李紹政； 138-0884-0060 ；lisz @ grgtest.com