西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，是一家從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業(yè)，是CNAS 認可實驗室，屬于大功率器件測試服務中心。

長禾實驗室擁有的系統(tǒng)設備的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現(xiàn)有的測試儀器設備100余臺套測試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標準，以客戶需求為導向，不斷創(chuàng)新服務項目和檢測技術，借助便利的服務網(wǎng)絡，為合作伙伴提供的技術服務。

長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業(yè)務范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風力發(fā)電、科研單位院所、工業(yè)控制船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導體（寬禁帶半導體）應用解決方案服務商。

長禾實驗室秉承創(chuàng)新務實的經(jīng)營理念，為客戶提供的服務、完善的解決方案及的技術支持；同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測試技術與服務水平不斷提升。

分立器件靜態(tài)參數(shù)測試（DC） 

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012、GJB128B-2021

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；

檢測能力：檢測 大電壓：2000V 檢測 大電流：200A；

試驗參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：RDSON、GFS

I-V曲線掃描    

ID vs.VDS at range of VGS

ID vs.VGS at fixed VDS

IS vs.VSD

RDS vs.VGS at fixed ID

RDS vs.ID at several VGS

IDSS vs.VDS

HFE vs.IC

BVCE（O,S,R,V） vs.IC

BVEBO vs.IE

BVCBO vs.IC

VCE（SAT） vs.IC

VBE（SAT） vs.IC

VBE（ON） vs.IC （use VBE test）

VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF

功率模塊靜態(tài)參數(shù)測試（DC） 

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流橋等功率；

試驗能力：檢測 大電壓：7000V，檢測 大電流：5000A

試驗參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：RDSON、GFS

開關特性測試（Switch）    

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗能力：檢測 大電壓：4500V 檢測 大電流：5000A

試驗參數(shù)：開通/關斷時間ton/toff、上升/下降時間tr/tf、開通/關斷延遲時間td(on)/td(off)、開通/關斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt；

反向恢復測試（Qrr）  

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗能力：檢測 大電壓：4500V 檢測 大電流：5000A

試驗參數(shù)：反向恢復電荷Qrr、反向恢復電流Irm、反向恢復時間Trr、反向恢復電流變化率diF/dt、反向恢復損耗Erec；

柵極電荷（Qg）    

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；；

試驗能力：檢測 大電壓：4500V 檢測 大電流：5000A

試驗參數(shù)：柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd；

短路耐量（SCSOA）   

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗能力：檢測 大電壓：4500V 檢測 大電流：10000A

試驗參數(shù)：短路電流Isc、短路時間Tsc、短路能量Esc；

結電容（Cg）  

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗能力：頻率：0.1-1MHz、檢測 大電壓：1500V；

試驗參數(shù)：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres；

C-V曲線掃描  

輸入電容Ciss-V；

輸出電容Coss-V；

反向傳輸電容Cres-V；

柵極電阻（Rg）     

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗能力：檢測 大電壓：1500V；

試驗參數(shù)：柵極等效電阻Rg

正向浪涌電流測試 

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗對象：DIODE（Si/SiC）、整流橋、SCR、IGBT；

試驗能力：檢測 大電流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。

試驗參數(shù)：浪涌電流IFSM/ITSM、i2t

雷擊浪涌     8/20us,10/1000us

雪崩耐量測試（UIS）  

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗對象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導體器件等單管器件；

試驗能力：檢測 大電壓：4500V，檢測 大電流：200A

試驗參數(shù)：雪崩能量EAS

介電性測試

執(zhí)行標準：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007；

試驗對象：Si、SiC·MOSFET；

試驗能力：檢測 大電壓：4500V，檢測 大電流：200A

高溫反偏試驗（HTRB）    

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度 高150℃；電壓 高5000V；

高溫柵偏試驗（HTGB）    

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗對象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度 高150℃；電壓 高100V；

高溫高濕反偏試驗（H3TRB） 

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度85℃，濕度范圍：25%~95%，電壓 高4500V；

功率老煉測試  

試驗對象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；

試驗能力：檢測 大電壓：4500V，檢測 大電流：200A

間歇壽命試驗（IOL） 

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、 ；

試驗對象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；

檢測能力：ΔTj≧100℃ 電壓 大60V，電流 大50A。

功率循環(huán)試驗（PC）   

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、 ；

試驗對象：IGBT模塊；

檢測能力：ΔTj=100℃，電壓 大30V，電流 大1800A；

熱阻測試（Riath）

執(zhí)行標準：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；

試驗對象：各類二極管；

試驗能力：瞬態(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻

失效分析     X-ray   

◆ 人機工程學設計

◆ 編程CNC檢測及選配旋轉工裝

◆ 可實時追蹤、目標點定位

◆ 高分辨率FPD獲高質(zhì)量圖像

◆ 配置超大載物臺及桌面檢測區(qū)域

◆ X射線源：

 大輸出功率：8W

光管類型：封閉式

管電壓：90kV

焦點尺寸：5μm

環(huán)境老煉    

高溫存儲試驗（HTSL）     

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ；

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗能力：溫度 高220℃；

低溫存儲試驗（LTSL）

執(zhí)行標準：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗能力：溫度 低-70℃。

高低溫循環(huán)試驗（TC）

執(zhí)行標準：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗能力：溫度范圍：-40℃~175℃。

溫度沖擊試驗  

執(zhí)行標準：GJB548、GJB 150-86、GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14；

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗能力：溫度范圍：-70℃~220℃。

高溫蒸煮試驗（PCT）

執(zhí)行標準：GB/T 4937.4-2012‌、JESD22-A110D-2010‌

IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008‌；

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗能力：‌溫度范圍‌：105℃到142.9℃之間；濕度范圍‌： 75%到100%RH。

壓力范圍‌：0.02MPa到0.186MPa。

可焊性試驗

執(zhí)行標準：MIL-STD-202G、MIL-STD-883G、GB2423、IEC60068；

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

振動試驗    

執(zhí)行標準：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗方法：模擬產(chǎn)品在運輸、安裝及使用環(huán)境下所遭遇到的各種振動環(huán)境影響，主要用于評定元器件、零部件及整機在預期的運輸及使用環(huán)境中的抵抗能力，以了解產(chǎn)品的耐振壽命和性能指標的穩(wěn)定性。

鹽霧試驗    

執(zhí)行標準：GB/T2423.17—2008、GB/T2423.18—2000、GB5938—86；

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗方法：通過人工模擬鹽霧環(huán)境條件來考核產(chǎn)品或金屬材料耐腐蝕性能的環(huán)境試驗。一般用于對材料(表面鍍層)或表面處理工藝進行評價、篩選、對比，確定產(chǎn)品中潛在問題的區(qū)域和部位,發(fā)現(xiàn)質(zhì)量控制的不足,尋找設計缺陷等。