掃描電鏡原理

依據(jù)電子與物質(zhì)的相互作用。樣品表面加一個強電場，樣品表面勢壘降低，由于隧道效應，樣品金屬內(nèi)部的電子穿過勢壘從金屬表面發(fā)射出來，這種現(xiàn)象稱場發(fā)射。亮度高約比普通SEM高100倍，分辨率可達10nm.

儀器技術參數(shù)

二次電子分辨率: 1.4nm (1 kV，減速模式)

放大倍率: x 20~ x 800,000

電子槍: 冷場發(fā)射電子源

送樣要求

• 1-5g之間，能把3-5mm直接樣品填滿即可。塊狀樣品不能大于5mm寬，高度小于5mm.

應用領域

1.金屬、非金屬及復合材料的觀察分析；

2.納米粉及納米粉體的形貌觀察和粒度測量統(tǒng)計；

3.微區(qū)成分的定性、定量計算，并對重點區(qū)域做元素分布圖；

4.可對固體材料的表面涂層、鍍層進行結合情況觀察和厚度測量；

5.機械設備、壓力容器、管道及汽車零件的失效分析。

適用標準

GB/T 16594-2008微米級長度的掃描電鏡測量方法通則

GB/T 17362-2008 黃金制品的掃描電鏡X射線能譜分析方法

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