芯片環(huán)境可靠性試驗

高溫老化壽命試驗(HTOL)

參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A108；

測試條件：

For devices containing NVM, endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.

Grade 0: +150℃ Ta for 1000 hours.

Grade 1: +125℃ Ta for 1000 hours.

Grade 2: +105℃ Ta for 1000 hours.

Grade 3: +  85℃ Ta for 1000 hours.

Vcc (max) at which dc and ac parametric are guaranteed. Thermal shut-down shall not occur during this test.

TEST before and after HTOL at room, hot, and cold temperature.

高加速應(yīng)力試驗(HAST)

參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A110；

測試條件：

Plastic Packaged Parts

Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.

Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for   500 hours.

Grades 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for   500 hours.

Ceramic Packaged Parts

    +250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.

TEST before and after HTSL at room and hot temperature.

* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.

高溫存儲試驗(HTSL)

參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A103 ；

測試條件：

Plastic Packaged Parts

Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.

Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for   500 hours.

Grade 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for   500 hours.

Ceramic Packaged Parts

    +250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.

TEST before and after HTSL at room and hot temperature.

* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.

      廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計量站，經(jīng)過50余年的發(fā)展，現(xiàn)已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計量檢測機構(gòu)，專注于為客戶提供計量、檢測、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù)，在計量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗、元器件篩選與失效分析檢測、車規(guī)元器件認(rèn)證測試、電磁兼容檢測等多個領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。

GRGT目前具有以下芯片相關(guān)測試能力及技術(shù)服務(wù)能力：

芯片可靠性驗證 ( RA)：

芯片級預(yù)處理(PC) & MSL試驗 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；

高溫存儲試驗(HTSL), JESD22-A103 ；

溫度循環(huán)試驗(TC), JESD22-A104 ；

溫濕度試驗(TH / THB), JESD22-A101 ；

高加速應(yīng)力試驗(HTSL / HAST), JESD22-A110；

高溫老化壽命試驗(HTOL), JESD22-A108；

芯片靜電測試 ( ESD)：

人體放電模式測試(HBM), JS001 ；

元器件充放電模式測試(CDM), JS002 ；

閂鎖測試(LU), JESD78 ；

TLP；Surge / EOS / EFT；

芯片IC失效分析 ( FA)：

光學(xué)檢查(VI/OM) ；

掃描電鏡檢查(FIB/SEM)

微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH ；Micro-probe;

聚焦離子束微觀分析(FIB)； 

彈坑試驗(cratering) ；芯片開封(decap) ；

芯片去層(delayer)；晶格缺陷試驗(化學(xué)法)；

PN結(jié)染色 / 碼染色試驗；

推拉力測試(WBP/WBS)；紅墨水試驗：

PCBA切片分析(X-section)；

芯片材料分析：

高分辨TEM (形貌、膜厚測量、電子衍射、STEM、HAADF)；

SEM (形貌觀察、截面觀察、膜厚測量、EBSD)；

Raman (Raman光譜)；AFM (微觀表面形貌分析、臺階測量)；

芯片分析服務(wù)：

ESD / EOS實驗設(shè)計；

集成電路競品分析；

AEC-Q100 / AEC-Q104開展與技術(shù)服務(wù)；

未知污染物分析包括：化學(xué)成分組成分析、成分含量分析、分子結(jié)構(gòu)分析、晶體結(jié)構(gòu)分析等物理與化學(xué)特性分析材料理化特性全方位分析。鍍層膜層全方位分析 (鍍層膜層分析方案的制定與實施，包括厚度分析、元素組成分析、膜層剖面元素分析)；

GRGT團隊技術(shù)能力：

•集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控

•集成電路競品分析、工藝分析

•芯片級失效分析方案turnkey

•芯片級靜電防護測試方案制定與平臺實驗設(shè)計

•靜電防護失效整改技術(shù)建議

•集成電路可靠性驗證

•材料分析技術(shù)支持與方案制定

半導(dǎo)體材料分析手法

芯片測試地點：廣電計量-廣州總部試驗室、廣電計量-上海浦東試驗室。

芯片測試業(yè)務(wù)咨詢及技術(shù)交流：

GRGT李工 138-0884-0060；

lisz@grgtest . com