技術(shù)指標(biāo)：ICP 離子源：0-3000W； RF 射頻源：0-600W；樣品尺寸：四英寸向下兼容；基底刻蝕溫度：0-200℃可調(diào)；可刻蝕材料包括：GaN，GaAs，InP，藍(lán)寶石等

儀器用途：通入反應(yīng)氣體使用電感耦合等離子體輝光放電使其分解，產(chǎn)生的具有強(qiáng)化學(xué)活性的等離子體在電場(chǎng)加速作用下移動(dòng)到樣品表面，對(duì)樣品表面既驚險(xiǎn)化學(xué)反應(yīng)生成揮發(fā)氣體，又有一定的物理刻蝕作用。因?yàn)榈入x子體源與射頻加速源分離，所以等離子體密度可以更高，加速能力也可以加強(qiáng)，以得到更高的刻蝕速率，更好的各向異性刻蝕。該系統(tǒng)使用了CL基與Br基的刻蝕氣體，因此適合于對(duì)III-V族化合物材料進(jìn)行刻蝕。

收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：700/小時(shí)

機(jī)組負(fù)責(zé)人：張嬪  0512-62872625  pzhang2008@sinano.ac.cn